IRFB7740PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFB7740PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 52A, 10V, Power Dissipation (Max): 143W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 75V Single N-Channel HEXFET Power |
auf Bestellung 930 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 106800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 75V 87A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFB7740PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 87A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 25 V |
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