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IRFB9N65A

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Produktcode: 191888
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFB9N65A IRFB9N65A Hersteller : Vishay info-tirfb9n65a.pdf N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
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IRFB9N65A IRFB9N65A Hersteller : International Rectifier info-tirfb9n65a.pdf N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRFB9N65A IRFB9N65A Hersteller : Vishay Siliconix 91104.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 5.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
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IRFB9N65A IRFB9N65A Hersteller : Vishay / Siliconix 91104.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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