IRFBC30APBF VISHAY
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.6A; Idm: 14A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 32+ | 2.7 EUR |
| 42+ | 2.06 EUR |
| 53+ | 1.62 EUR |
| 74+ | 1.15 EUR |
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Technische Details IRFBC30APBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 3.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFBC30APBF nach Preis ab 1.67 EUR bis 7.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IRFBC30APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC30APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC30APBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBC30APBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH |
auf Bestellung 757 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBC30APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
auf Bestellung 732 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBC30APBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 3.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 365 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFBC30APBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 1.99 EUR |
| 500+ | 1.73 EUR |
| IRFBC30APBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 550 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 2.87 EUR |
| 100+ | 1.95 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| IRFBC30APBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 62+ | 2.88 EUR |
| 88+ | 1.99 EUR |
| IRFBC30APBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
MOSFETs TO220 600V 3.6A N-CH
auf Bestellung 757 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.34 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 2000+ | 2.18 EUR |
| IRFBC30APBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
auf Bestellung 732 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.12 EUR |
| 50+ | 3.61 EUR |
| 100+ | 3.27 EUR |
| 500+ | 2.67 EUR |
| IRFBC30APBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - IRFBC30APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3.6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
auf Bestellung 365 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)