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IRFBC40

IRFBC40

91115.pdf
Produktcode: 26834
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 06.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
auf Bestellung 1 Stück:
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Anzahl Preis
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Technische Details IRFBC40 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:600V
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Power Dissipation:125W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:6.2A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:25A
  • Transistor Polarity:N
  • Voltage Vds:600V

Möglichen Substitutionen IRFBC40 IR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFBC40 IRFBC40
Produktcode: 163760
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Hersteller : Siliconix irfbc40-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
auf Bestellung 90 Stück:
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IRFBC40 IRFBC40
Produktcode: 163760
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Hersteller : Siliconix irfbc40-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
auf Bestellung 90 Stück:
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IRFBC40 Hersteller : Siliconix 91115.pdf N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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IRFBC40 IRFBC40 Hersteller : Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40 IRFBC40 Hersteller : Vishay Siliconix 91115.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 22580
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2SC2655.pdf
2SC2655 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Toshiba
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 2
h21: 240
ZCODE: THT
verfügbar: 730 Stück
30 Stück - stock Köln
700 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
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SS14
Produktcode: 1577
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SS14.pdf
SS14
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMA (DO-214AC)
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,5
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 40 A
№ 7: 8541 10 00 10
auf Bestellung 12150 Stück:
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Anzahl Preis
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LL4148
Produktcode: 2413
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LL4148-D.PDF
LL4148
Hersteller: SEMTECH
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SOD-80
Vrr, V: 100
Iav, A: 0,2 A
Austauschbar:: SMD
auf Bestellung 57395 Stück:
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47 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-47R-Hitano)
Produktcode: 3462
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CR-S_080911.pdf
47 Ohm 5% 1W (CR100SJTB-47R-Hitano)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 1W
Resistenz: 47 Ohm
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 500V
Abmessungen: 9x3mm, DAusfuhr.=0,64mm
Typ: Kohlen-, miniatur
Температура: -55...+125°C
auf Bestellung 1214 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.018 EUR
100+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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BC807-40
Produktcode: 3638
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BC807_.pdf
BC807-40
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
fT: 80 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.5
h21,max: 600
ZCODE: 8541 21 00 90
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Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.022 EUR
1000+0.014 EUR
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