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IRFBC40

IRFBC40 Siliconix

irfbc40-datasheet.pdf
Produktcode: 163760
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
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Technische Details IRFBC40 Siliconix

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:600V
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Power Dissipation:125W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:6.2A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:25A
  • Transistor Polarity:N
  • Voltage Vds:600V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFBC40 IRFBC40
Produktcode: 26834
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Hersteller : IR 91115.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 06.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
auf Bestellung 1 St.:
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IRFBC40 Hersteller : Siliconix 91115.pdf N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 167 Stücke:
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IRFBC40 IRFBC40 Hersteller : Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40 IRFBC40 Hersteller : Vishay Siliconix 91115.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRFBC40 IRFBC40 Hersteller : STMicroelectronics 91115.pdf MOSFETs TO-220 N-CH 600V 6.2
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IRFBC40 IRFBC40 Hersteller : onsemi / Fairchild 91115.pdf MOSFETs
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 2353 St.:
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TNY267PN
Produktcode: 24749
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tny263_268-8433 (1).pdf
TNY267PN
Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: AC/DC Switching 12W
Spannung, eing., V: 85...265VAC
I-ausg., A: 0,481A
Fosc, kHz: 132
Temperaturbereich: -40...+150°C
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Anzahl Preis
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TNY276PN
Produktcode: 24022
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tinyswitch-iii_family_datasheet.pdf
TNY276PN
Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-7
Eigenschaften: AC/DC Converters 15W 85-265 VAC 19W/230 VAC
Spannung, eing., V: 85...265 VAC
Fosc, kHz: 132 kHz
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 187 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TNY266PN
Produktcode: 22386
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description tny263-268g_p.pdf
TNY266PN
Hersteller: PI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: AC-DC
Spannung, eing., V: 9 V
I-ausg., A: 880 mA
Fosc, kHz: 132
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 227 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1 EUR
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Sicherung mit den Schlussfolgerungen 8А (32S-080H)
Produktcode: 16850
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31s_32S.JPG
Sicherung mit den Schlussfolgerungen 8А (32S-080H)
Hersteller: Hollyland
Sicherungen > Schmelzsicherungen
Funktionsbeschreibung: Schmelzsicherungen mit axialen Anschlüssen in Glas 8,0А 250V 4х11m
Nennstrom, А: 8A
Größe: 4x11mm; D-Schlussflg.=0,6mm
Bemerkung: З виводами
Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Повільний
verfügbar: 131 St.
117 St. - stock Köln
14 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
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