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IRFBC40

IRFBC40 Siliconix

irfbc40-datasheet.pdf
Produktcode: 163760
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600 V
Idd,A: 6,2 A
Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
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Technische Details IRFBC40 Siliconix

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:600V
  • On State Resistance:1.2ohm
  • Power Dissipation:125W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:6.2A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Power Dissipation Pd:125W
  • Pulse Current Idm:25A
  • Transistor Polarity:N
  • Voltage Vds:600V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFBC40 IRFBC40
Produktcode: 26834
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Hersteller : IR 91115.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 06.02.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
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IRFBC40 Hersteller : Siliconix 91115.pdf N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40
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IRFBC40 IRFBC40 Hersteller : Vishay 91115.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBC40 IRFBC40 Hersteller : Vishay Siliconix 91115.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRFBC40 IRFBC40 Hersteller : STMicroelectronics 91115.pdf MOSFETs TO-220 N-CH 600V 6.2
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-41
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 500
Bemerkung: FR101, FR102, FR103, FR104, FR105, FR106, 1N4933, 1N4934, 1N4935, 1N4936, 1N4937
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IR21531PBF
Hersteller: IR
IC > IC Transistoren-Treiber
Gehäuse: DIP-8
Uc, V: 600
I o +/-, A: 0,05 A
V out, V: 10-20
T on/T off, ns: 80/40
Bemerkung: Halbbrücke
Роб.темп.,°С: -40…+125°C
auf Bestellung 68 Stück:
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DB3
Produktcode: 22619
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DB3, DB4, SMDB3.pdf
DB3
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Thyristoren, Dynistors
Gehäuse: DO-35
U,zu,V: 28-36V
Imax,A: 2A
verfügbar: 11772 Stück
107 Stück - stock Köln
11665 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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10+0.03 EUR
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TSOP4838
Produktcode: 22382
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TSOP4838
Hersteller: Vishay
Optoelektronik > Fotodioden, Fototransistoren, Photowiderstände
Vceo, V: 4.5-5.5
Zusätzlich: Photodetektor 36 kHz
Тип: Фотоприймач
auf Bestellung 456 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.84 EUR
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Produktcode: 15290
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BC327-25
Hersteller: Fairchild
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Gehäuse: TO-92
fT: 100 MHz
U, V: 45
U, V: 50
I, А: 0.8
h21,max: 450
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1856 Stück
215 Stück - stock Köln
1641 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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