IRFBC40 Siliconix
Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 6.2A 600V 130W 1.2Ω Replacement: BUZ90A IRFBC40 TIRFBC40
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| 20+ | 2.69 EUR |
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Technische Details IRFBC40 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRFBC40 nach Preis ab 0.88 EUR bis 1.09 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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IRFBC40 Produktcode: 163760
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Siliconix |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В Drain-Strom Idd, A: 6,2 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60 Montage: THT |
auf Bestellung: 83 St.
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IRFBC40 Produktcode: 26834
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IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V Drain-Strom Idd, A: 6,2 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60 Montage: THT |
auf Bestellung: 1 St.
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IRFBC40 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
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IRFBC40 | STMicroelectronics |
MOSFETs TO-220 N-CH 600V 6.2 |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||
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IRFBC40 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFBC40 Produktcode: 163760
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Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 6,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 В
Drain-Strom Idd, A: 6,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60
Montage: THT
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| IRFBC40 Produktcode: 26834
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60
Montage: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 600 V
Drain-Strom Idd, A: 6,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 1,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1300/60
Montage: THT
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| IRFBC40 |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Hersteller: STMicroelectronics
MOSFETs TO-220 N-CH 600V 6.2
MOSFETs TO-220 N-CH 600V 6.2
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
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