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IRFBF20SPBF

IRFBF20SPBF Vishay

sihfb20s.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Technische Details IRFBF20SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Hersteller : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfb20s.pdf MOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Hersteller : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Hersteller : Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0010220279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: To Be Advised
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IRFBF20SPBF Hersteller : VISHAY sihfb20s.pdf IRFBF20SPBF SMD N channel transistors
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IRFBF20SPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon sihfb20s.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 900; Id = 1,7; Ptot, Вт = 54; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 38; Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B; Tексп, °C = -55...+150; TO-220AB
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10+2.47 EUR
100+2.17 EUR
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF
Produktcode: 51921
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