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IRFBF20SPBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.45 EUR
123+1.39 EUR
124+1.32 EUR
500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.45 EUR
123+1.42 EUR
124+1.38 EUR
500+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay Semiconductors sihfb20s.pdf MOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 908 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.75 EUR
10+1.68 EUR
500+1.65 EUR
2000+1.61 EUR
5000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.8 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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76+2.34 EUR
100+2.21 EUR
150+2.09 EUR
250+2 EUR
500+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRFBF20SPBF International Rectifier/Infineon irfbf20.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 1,7, Ptot, Вт = 54, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 38, Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 200 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRFBF20SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
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100+2.21 EUR
150+2.09 EUR
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N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 1,7, Ptot, Вт = 54, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 38, Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
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