IRFBF20SPBF VISHAY
Hersteller: VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 990 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 52+ | 1.40 EUR |
| 57+ | 1.26 EUR |
| 65+ | 1.12 EUR |
| 75+ | 0.96 EUR |
| 79+ | 0.92 EUR |
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Technische Details IRFBF20SPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 54W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFBF20SPBF nach Preis ab 0.92 EUR bis 1.78 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRFBF20SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.1A Pulsed drain current: 6.8A Power dissipation: 54W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBF20SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF20SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF20SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 1019 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBF20SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
auf Bestellung 580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFBF20SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF20SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF20SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 280 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF20SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 15 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFBF20SPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 900; Id = 1,7; Ptot, Вт = 54; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25; Qg, нКл = 38; Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B; Tексп, °C = -55...+150; TO-220AB |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFBF20SPBF Produktcode: 51921
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRFBF20SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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