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IRFBF20SPBF

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Produktcode: 51921
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
122+1.42 EUR
123+1.39 EUR
124+1.34 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+2.28 EUR
100+2.15 EUR
150+2.05 EUR
250+1.95 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY IRFBF20SPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
37+2.33 EUR
53+1.63 EUR
55+1.57 EUR
57+1.51 EUR
100+1.45 EUR
250+1.39 EUR
500+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay Semiconductors sihfb20s.pdf MOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 756 Stücke:
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1+5.57 EUR
10+2.64 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.74 EUR
5000+1.58 EUR
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF VISHAY VISH-S-A0010220279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
auf Bestellung 261 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
42+6.07 EUR
79+2.98 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay Siliconix sihfb20s.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 139 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.26 EUR
10+4.07 EUR
50+3.13 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRFBF20SPBF IRFBF20SPBF Vishay sihfb20s.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRFBF20SPBF International Rectifier/Infineon irfbf20.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 1,7, Ptot, Вт = 54, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 38, Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 200 Stücke
verfügbar 10 Stücke:
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IRFBF20SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 648 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+1.42 EUR
123+1.39 EUR
124+1.34 EUR
500+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
122+1.42 EUR
123+1.36 EUR
124+1.3 EUR
500+1.23 EUR
Mindestbestellmenge: 122 Stücke
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IRFBF20SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 925 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
76+2.28 EUR
100+2.15 EUR
150+2.05 EUR
250+1.95 EUR
500+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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IRFBF20SPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 1.1A
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 6.8A
Power dissipation: 54W
Gate charge: 38nC
auf Bestellung 905 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+2.33 EUR
53+1.63 EUR
55+1.57 EUR
57+1.51 EUR
100+1.45 EUR
250+1.39 EUR
500+1.34 EUR
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IRFBF20SPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
auf Bestellung 756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.57 EUR
10+2.64 EUR
100+2.18 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.78 EUR
2000+1.74 EUR
5000+1.58 EUR
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IRFBF20SPBF VISH-S-A0010220279-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBF20SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
42+6.07 EUR
79+2.98 EUR
100+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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IRFBF20SPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
auf Bestellung 139 Stücke:
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4+6.26 EUR
10+4.07 EUR
50+3.13 EUR
100+2.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBF20SPBF sihfb20s.pdf
IRFBF20SPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 1,7, Ptot, Вт = 54, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 38, Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 200 Stücke
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