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IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Siliconix

irfbg30pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 29889
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
31+2.33 EUR
39+1.87 EUR
50+1.57 EUR
100+1.47 EUR
250+1.34 EUR
500+1.27 EUR
750+1.23 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 31
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
44+3.38 EUR
53+2.75 EUR
100+2.32 EUR
250+2.09 EUR
500+1.82 EUR
750+1.72 EUR
1000+1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 44
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 7536 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+4.98 EUR
10+2.53 EUR
100+2.15 EUR
500+1.66 EUR
1000+1.61 EUR
5000+1.59 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 3743 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
4+5.46 EUR
50+2.75 EUR
100+2.49 EUR
500+2.03 EUR
1000+1.88 EUR
2000+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019271718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
auf Bestellung 621 Stücke:
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
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Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF Hersteller : Vishay/IR IRFBG30_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 3,1 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 980 @ 25, Qg, нКл = 80 @ 10 В, Rds = 5 Ом @ 1,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRFBG30PBF Hersteller : Vishay Siliconix irfbg30.pdf MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 512 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 30 St.:
Anzahl Preis
1+1.06 EUR
10+0.84 EUR
100+0.73 EUR
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UC3842BD1013TR
Produktcode: 40721
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CD00000966-105506 (1).pdf
UC3842BD1013TR
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 30V
I-ausg., A: 1000mA
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40…+150°C
auf Bestellung 409 St.:
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erwartet 20 St.:
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22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano)
Produktcode: 3036
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EHR_081225.pdf
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 10479 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.017 EUR
1000+0.015 EUR
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MUR4100ERLG
Produktcode: 2526
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mur480e-d.pdf
MUR4100ERLG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201
Vrr, V: 1000
Iav, A: 4
Trr, ns: 75
auf Bestellung 89 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.42 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20
Produktcode: 18614
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description sihbg20de3f3.pdf
IRFBG20
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 1000
Idd,A: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 500/38
JHGF: THT
auf Bestellung 16 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.98 EUR
10+0.84 EUR
100+0.74 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH