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IRFBG30PBF Siliconix

Name: IRFBG30PBF
Brand: VISHAY
SKU: 463251381-1
Price: 71.50 EUR
Availability: BackOrder

Produktcode: 29889

Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRFBG30PBF	Hersteller : VISHAY	Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025)	auf Bestellung 771 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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IRFBG30PBF	Hersteller : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFBG30PBF	Hersteller : Vishay Semiconductors	MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRFBG30PBF	Hersteller : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 2A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5Ω Mounting: THT Gate charge: 80nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

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UC3845BN
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Temperaturbereich: -40...+150°C

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Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00

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470uF 10V EXR 8x12mm (EXR471M10B-Hitano)

Hersteller: Hitano
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Kapazität: 470uF
Nennspannung: 10V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
№ 8: 3000 годин
8532 22 00 00

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Vrr, V: 1000
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verfügbar: 270 Stück

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