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IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Siliconix

irfbg30pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 29889
Hersteller: Siliconix
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
auf Bestellung 39 Stück:
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 999 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
28+2.57 EUR
76+0.94 EUR
81+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 28
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
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5+4.29 EUR
50+2.53 EUR
100+2.47 EUR
500+2.18 EUR
1000+1.91 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
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10+2.64 EUR
100+2.45 EUR
250+2.38 EUR
500+2.09 EUR
1000+1.95 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013856971-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 107 Stück:
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22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano)
Produktcode: 3036
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EHR_081225.pdf
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 6943 Stück
18 Stück - stock Köln
6925 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.02 EUR
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470uF 10V EXR 8x12mm (EXR471M10B-Hitano)
Produktcode: 4334
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EXR_080421.pdf
470uF 10V EXR 8x12mm (EXR471M10B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 10V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 8x12mm
Lebensdauer: 3000 Stunden
№ 8: 3000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 1300 Stück
983 Stück - stock Köln
317 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 15.07.2025
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.04 EUR
1000+0.03 EUR
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BTA41-800B
Produktcode: 25107
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description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
BTA41-800B
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 800
I-auf, mA: 50
I max, A: 40
№ 6: 8541 10 00 90
auf Bestellung 255 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+2.26 EUR
10+1.96 EUR
100+1.57 EUR
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US1M
Produktcode: 30533
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US1A-M.pdf
US1M
Hersteller: DC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Vrr, V: 1000
Iav, A: 1
Trr, ns: 75
Austauschbar:: STTH108A, STTH110A, BYG23M, MURA105T3G, MURA110T3G, MURA120T3G, MURA140T3G, MURA160T3G
verfügbar: 270 Stück
Anzahl Preis
1+0.08 EUR
10+0.06 EUR
100+0.05 EUR
1000+0.03 EUR
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