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IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Siliconix

irfbg30pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 29889
Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 1000 V
Idd,A: 2 А
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 980/80
JHGF: THT
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0019271718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Hersteller : VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
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22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano)
Produktcode: 3036
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EHR_081225.pdf
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22uF
Nennspannung: 50V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
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IRFBG20
Produktcode: 18614
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description sihbg20de3f3.pdf
IRFBG20
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 1000
Idd,A: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 500/38
JHGF: THT
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MER 680nF 630V K(+/-10%), P=27,5mm, 14x23,5x30mm (MER684K2JB-Hitano)
Produktcode: 23370
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MER_070523.pdf
MER 680nF 630V K(+/-10%), P=27,5mm, 14x23,5x30mm (MER684K2JB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Folienkondensatoren
Kapazität: 680nF
Nennspannung, V: 630VDC
Präzision: ±10% K
Abstand ausg. und Abmessungen: P=27,5mm, 14x23,5x30mm
Dielektrikum, Isolationswiderstand: Polyester
Abschwächungskonstante: 1% max. bei 1KHz, 25°С
Part Nummer: MER684K2JB
ZCODE: 8532 29 00 00
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BTA41-800B
Produktcode: 25107
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description BTA40 and BTA BTB41 series.pdf
BTA41-800B
Hersteller: ST
Thyristoren, Dynistors, Triacs > Triacs
Gehäuse: TOP-3
Umax, V: 800
I-auf, mA: 50
I max, A: 40
№ 6: 8541 10 00 90
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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