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IRFBG30PBF

IRFBG30PBF Siliconix

irfbg30pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 29889
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Hersteller: Siliconix
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 В
Drain-Strom Idd, A: 2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 980/80
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 25242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 23192 Stücke:
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84+1.9 EUR
100+1.67 EUR
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Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 642 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.61 EUR
53+3.22 EUR
100+2.73 EUR
250+2.4 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.62 EUR
72+2.31 EUR
73+2.2 EUR
100+1.89 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+3.62 EUR
72+2.36 EUR
73+2.28 EUR
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500+1.61 EUR
1000+1.52 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay Semiconductors irfbg30.pdf MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
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10+3.52 EUR
100+3.17 EUR
500+2.59 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay Siliconix irfbg30.pdf Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 3255 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.33 EUR
10+4.78 EUR
50+3.7 EUR
100+3.34 EUR
500+2.73 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY VISH-S-A0019271718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.59 EUR
58+4.06 EUR
100+3.37 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF VISHAY IRFBG30PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 642 Stücke:
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF Vishay irfbg30.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 23192 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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84+1.9 EUR
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500+1.29 EUR
Mindestbestellmenge: 60 Stücke
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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48+3.61 EUR
53+3.22 EUR
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250+2.4 EUR
500+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
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72+2.31 EUR
73+2.2 EUR
100+1.89 EUR
500+1.49 EUR
1000+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1000 Stücke:
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48+3.62 EUR
72+2.36 EUR
73+2.28 EUR
100+2 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 1KV 3.1A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1155 Stücke:
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10+3.52 EUR
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IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 980 pF @ 25 V
auf Bestellung 3255 Stücke:
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3+7.33 EUR
10+4.78 EUR
50+3.7 EUR
100+3.34 EUR
500+2.73 EUR
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IRFBG30PBF VISH-S-A0019271718-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFBG30PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFBG30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
auf Bestellung 2125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.59 EUR
58+4.06 EUR
100+3.37 EUR
500+2.68 EUR
1000+2.38 EUR
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IRFBG30PBF IRFBG30PBF.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 2A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 2A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 642 Stücke:
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IRFBG30PBF irfbg30.pdf
IRFBG30PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 1KV 3.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 1 Stücke:
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IRFBG30PBF Транзисторы HEXFET
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UC3842BD1013TR
Produktcode: 40721
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CD00000966-105506 (1).pdf
UC3842BD1013TR
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 kA
Frequenz Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: -40…+150°C
auf Bestellung: 363 St.
  • 363 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.55 EUR
10+0.49 EUR
100+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3845BN
Produktcode: 4328
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 8,2...30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Frequenz Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung: 234 St.
  • 234 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.26 EUR
10+1 EUR
100+0.87 EUR
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22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 3036
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EHR_081225.pdf
22uF 50V EHR 5x11mm (EHR220M50B-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 22 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: EHR
Typ: Allzweck, breiter Temperaturbereich, 105°C
Temperaturbereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11 mm
Lebensdauer: 2000 Stunden
Zolltarifnummer: 8532 22 00 00
erwartet: 100 St.
  • 100 St. - erwartet
auf Bestellung: 8522 St.
  • 8522 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.079 EUR
21+0.058 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 16 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MUR4100ERLG
Produktcode: 2526
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mur480e-d.pdf
MUR4100ERLG
Hersteller: ON
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-201
Sperrspannung Vrr, V: 1000 V
Mittlerer Strom Iav, A: 4 A
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 75 ns
Montage: THT
auf Bestellung: 41 St.
  • 41 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+0.86 EUR
10+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 2 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
UC3842BN
Produktcode: 17968
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
description UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3842BN
Hersteller: ST/UTC
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 11...30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Frequenz Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
auf Bestellung: 63 St.
  • 63 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+0.58 EUR
10+0.52 EUR
100+0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 3 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH