IRFBG20


sihbg20de3f3.pdf
Produktcode: 18614
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V
Drain-Strom Idd, A: 1,4 A
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 500/38
Montage: THT
auf Bestellung 16 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.17 EUR
10+1 EUR
100+0.88 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRFBG20 IR

  • MOSFET, N TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Cont Current Id:1.3A
  • On State Resistance:11.5ohm
  • Case Style:TO-220AB
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Lead Spacing:2.54mm
  • Max Voltage Vds:1000V
  • No. of Pins:3
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:50W
  • Power Dissipation Pd:50W
  • Pulse Current Idm:5.2A
  • Transistor Case Style:TO-220AB

Weitere Produktangebote IRFBG20 nach Preis ab 2.21 EUR bis 2.21 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFBG20 IRFBG20 Vishay info-tirfbg20.pdf description N-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω IRFBG20 TIRFBG20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFBG20 description info-tirfbg20.pdf
Hersteller: Vishay
N-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω IRFBG20 TIRFBG20
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+2.21 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH

Mit diesem Produkt kaufen

IRFBG30PBF
Produktcode: 29889
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
irfbg30pbf-datasheet.pdf
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Drain-Source-Spannung Uds, V: 1000 V
Drain-Strom Idd, A: 2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 980/80
Montage: THT
auf Bestellung 35 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2N7000
Produktcode: 20638
2 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
2N7000-D.PDF
Hersteller: NXP
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-92
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 0,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 60/-
Montage: THT
verfügbar: 1727 St.
  • 50 St. - stock Köln
  • 1677 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
1+0.3 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2,2 Ohm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-2R2-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 15379
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
RC_series.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 2,2 Ohm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 6663 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 5463 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
100+0.004 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
2 MOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-2MR-Hitano)
Produktcode: 13858
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CR-S_080911.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 2 MOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 5200 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 4000 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1,5 MOhm 5% 0,25W bedrahtet (CR025SJTB-1M5R-Hitano) (S)
Produktcode: 13853
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
CR-S_080911.pdf
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - 0,25W
Widerstandswert: 1,5 MOhm
Toleranz: ±5%
Nennleistung, W: 0,25 W
Betriebsspannung, V: 250 V
Abmessungen: 3,2x1,6 mm; D-Anschl.=0,45 mm
Typ: Kohleschicht
verfügbar: 2899 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 1699 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.012 EUR
100+0.0067 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH