IRFBG20
Produktcode: 18614
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 1000
Idd,A: 01.04.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 500/38
JHGF: THT
verfügbar 12 Stück:
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1+ | 0.98 EUR |
| 10+ | 0.84 EUR |
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Technische Details IRFBG20 IR
- MOSFET, N TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:1.3A
- On State Resistance:11.5ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:1000V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:50W
- Power Dissipation Pd:50W
- Pulse Current Idm:5.2A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRFBG20 nach Preis ab 1.83 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFBG20 | Hersteller : Vishay |
N-MOSFET 1.4A 1000V 54W 11Ω IRFBG20 TIRFBG20 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 40 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRFBG20 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFBG20 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11Ohm @ 840mA, 10V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFBG20 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF20PBF |
Produkt ist nicht verfügbar |