IRFD123 Harris Corporation
Hersteller: Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
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Technische Details IRFD123 Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Obsolete, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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| IRFD123 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 0.6A 4-Pin HVMDIP IRFD123 IRFD123 TIRFD123 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
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IRFD123 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFD123 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFD123PBF |
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