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IRFD220PBF

IRFD220PBF Vishay

sihfd220.pdf
Produktcode: 22410
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Hersteller: Vishay
Gehäuse: HD-1
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 0,8 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,8 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 260/14
Montage: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFD220PBF IRFD220PBF VISHAY VISH-S-A0013329349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 344 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
171+1.37 EUR
199+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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IRFD220PBF IRFD220PBF Vishay Semiconductors sihfd220.pdf MOSFETs HVMDIP 200V .8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.08 EUR
10+2.56 EUR
100+2.4 EUR
500+1.48 EUR
2500+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFD220PBF IRFD220PBF Vishay Siliconix sihfd220.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+3.96 EUR
10+2.52 EUR
100+1.71 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRFD220PBF VISH-S-A0013329349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFD220PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD220PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.3 A, 0.8 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
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IRFD220PBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs HVMDIP 200V .8A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1165 Stücke:
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2+3.08 EUR
10+2.56 EUR
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IRFD220PBF sihfd220.pdf
IRFD220PBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 480mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
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Abmessungen, mm: 40x40x10 мм
Spannung, V: 12 DC
Luftvolumen, m³/h: 13,87 m³/h
Leistung, W: 1,14 W
Lärm, dB: 28,8 dB
Drehzahl, rpm: 7300 rpm
Beschreibung: Gleitlager "Buchse"
verfügbar: 20 St.
  • 20 St. - stock Köln
auf Bestellung: 745 St.
  • 745 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Lüfter 40x40x10, 12V
Produktcode: 123588
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rdh4010s1-datasheet.pdf
Lüfter 40x40x10, 12V
Hersteller: X-FAN
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Lüfter und Zubehör
Abmessungen, mm: 40x40x10 мм
Spannung, V: 12 DC
Luftvolumen, m³/h: 12,9 m³/h
Leistung, W: 1,08 W
Lärm, dB: 33 dB
Drehzahl, rpm: 7000 rpm
Beschreibung: Gleitlager "Buchse"
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10+5.28 EUR
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AG Thermopad 20x130x1,0 (6 W/mK)
Produktcode: 121950
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description
AG Thermopad 20x130x1,0 (6 W/mK)
Hersteller: AG TermoPasty
Chemie > Wärmeleitende Materialien
Beschreibung: Wärmeleitband 20x130x1mm, 6W/mK
Verwendungszweck: Erleichtert die Wärmeableitung
Typ: Wärmeleitpad
Wärmeleitfähigkeit: 6 W/(m·K)
erwartet: 400 St.
  • 400 St. - erwartet 15.09.2026
auf Bestellung: 250 St.
  • 250 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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TL082ID
Produktcode: 17401
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tl082.pdf
TL082ID
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: SO-8
Versorgungsspannung Vc, V: ±18 V
Bandbreite BW, MHz: 3 MHz
Offsetspannung Vio, mV: 6 mV
Anstiegsrate, V/µs: 13 V/µs
Temperaturbereich: -40...+85°C
Bemerkungen: JFET-Eingang, Zahl Kanäle: 2
Anzahl Kanäle: 2
Montage: SMD
verfügbar: 25 St.
  • 25 St. - stock Köln
auf Bestellung: 888 St.
  • 888 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH