| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.56 EUR |
| 10+ | 2.95 EUR |
| 100+ | 2.37 EUR |
| 500+ | 2.09 EUR |
| 1000+ | 1.9 EUR |
| 2500+ | 1.57 EUR |
| 5000+ | 1.52 EUR |
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Technische Details IRFD420PBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote IRFD420PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFD420PBF |
 MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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IRFD420PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 4-HVMDIP Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Bulk |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFD420PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 370 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 1 Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 3 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFD420PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP |
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Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFD420PBF |
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MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP Транзистори
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| IRFD420PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 500V 370MA 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 220mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
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| IRFD420PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFD420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 370
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - IRFD420PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 370 mA, 3 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 370
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1
Bauform - Transistor: HVMDIP
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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| IRFD420PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
Trans MOSFET N-CH 500V 0.37A 4-Pin HVMDIP
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