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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFD9010PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFD9010PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 1.1 A, 0.35 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: HVMDIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote IRFD9010PBF nach Preis ab 0.77 EUR bis 3.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IRFD9010PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
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IRFD9010PBF | Hersteller : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD |
auf Bestellung 1165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9010PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFD9010PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFD9010PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 1.1 A, 0.35 ohm, HVMDIP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: HVMDIP Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: To Be Advised |
auf Bestellung 322 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9010PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9010PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFD9010PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-Pin HVMDIP |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFD9010PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -1.1A; Idm: -8.8A; 1W; HVMDIP Case: HVMDIP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8.8A Drain-source voltage: -50V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRFD9010PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -1.1A; Idm: -8.8A; 1W; HVMDIP Case: HVMDIP Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 11nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -8.8A Drain-source voltage: -50V Drain current: -1.1A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar |
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