
IRFD9024

Produktcode: 31844
Hersteller: IRGehäuse: HD-1
Uds,V: 80
Id,A: 1.6
Rds(on),Om: 0.28
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
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Anzahl | Preis |
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1+ | 0.57 EUR |
10+ | 0.42 EUR |
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Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFD9024 | Hersteller : Vishay |
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IRFD9024 | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 4-HVMDIP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
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IRFD9024 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4 Produktcode: 31843
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 02.04.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 02.04.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
3 Stück - stock Köln
12 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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Anzahl | Preis |
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1+ | 1.02 EUR |
IRF640 Produktcode: 7926
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
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Anzahl | Preis |
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1+ | 0.98 EUR |
10+ | 0.84 EUR |
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ Produktcode: 25094
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5384 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Anzahl | Preis |
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1+ | 1.5 EUR |
10+ | 1.45 EUR |
100+ | 1 EUR |
2200uF 63V WL 18x35mm (WL1J228M18040CB159-JCCON) (электролитический конденсатор) Produktcode: 185724
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Hersteller: JCCON
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: WL
Temp.Bereich: низькоімпедансні
Abmessungen: -40...105°C
Lebensdauer: 18x36 mm
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: WL
Temp.Bereich: низькоімпедансні
Abmessungen: -40...105°C
Lebensdauer: 18x36 mm
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erwartet:
800 Stück
800 Stück - erwartet 04.10.2025
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB Produktcode: 3289
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
Transistoren > MOSFET N-CH
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Uds,V: 100
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Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2807 Stück
33 Stück - stock Köln
2774 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
2774 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl | Preis |
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1+ | 0.88 EUR |
10+ | 0.79 EUR |