IRFD9024

IRFD9024


sihfd902.pdf
Produktcode: 31844
Hersteller: IR
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 80
Id,A: 1.6
Rds(on),Om: 0.28
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFD9024 IRFD9024 Hersteller : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9024 IRFD9024 Hersteller : Vishay Siliconix sihfd902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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IRFD9024 IRFD9024 Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd902.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4
Produktcode: 31843
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description
IRFDPBF Vishay N-MOSFET Transistor 1,3W 60V 2,5A 100mΩ DIP4
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 60
Idd,A: 02.04.2015
Rds(on), Ohm: 01.01.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 640/25
JHGF: THT
verfügbar: 15 Stück
3 Stück - stock Köln
12 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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IRF640
Produktcode: 7926
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description IRF640.pdf
IRF640
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/70
JHGF: THT
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IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Produktcode: 25094
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description
IRF3205PBF Infineon (IR) N-Leistungs-MOSFET Transistor 200W 55V 110A 8mΩ
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 55
Idd,A: 75
Rds(on), Ohm: 0.0065
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
JHGF: THT
auf Bestellung 5384 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1+1.5 EUR
10+1.45 EUR
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2200uF 63V WL 18x35mm (WL1J228M18040CB159-JCCON) (электролитический конденсатор)
Produktcode: 185724
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Hersteller: JCCON
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 2200 µF
Nennspannung: 63 V
Reihe: WL
Temp.Bereich: низькоімпедансні
Abmessungen: -40...105°C
Lebensdauer: 18x36 mm
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erwartet: 800 Stück
800 Stück - erwartet 04.10.2025
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IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Produktcode: 3289
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description f4t984789546784678tuyf475t7847454f5t.pdf
IRF540NPBF Infineon (IR) Power MOSFET Transistor 130W 100V 33A 44mΩ TO220AB
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 100
Idd,A: 33
Ciss, pF/Qg, nC: 1960/71
JHGF: THT
verfügbar: 2807 Stück
33 Stück - stock Köln
2774 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.88 EUR
10+0.79 EUR
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