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IRFD9024 Siliconix

sihfd902.pdf Hersteller: Siliconix
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 280mOhm; 1,6A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9024 TIRFD9024
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Technische Details IRFD9024 Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP, Packaging: Tube, Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 4-HVMDIP, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFD9024 IRFD9024
Produktcode: 31844
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Hersteller : IR sihfd902.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: HD-1
Uds,V: 80
Id,A: 1.6
Rds(on),Om: 0.28
Ciss, pF/Qg, nC: 570/19
/: THT
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IRFD9024 IRFD9024 Hersteller : Vishay sihfd902.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9024 IRFD9024 Hersteller : Vishay Siliconix sihfd902.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 1.6A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 960mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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IRFD9024 IRFD9024 Hersteller : Vishay / Siliconix sihfd902.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD9024PBF
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