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IRFD9110

IRFD9110 Vishay

dx8m7nt348ongfuowc.pdf
Produktcode: 59118
Hersteller: Vishay
Gehäuse: HVMDIP
Uds,V: 100
Id,A: 0.7
Rds(on),Om: 1.2
Ciss, pF/Qg, nC: 200/8.7
/: THT
auf Bestellung 3 Stück:
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IRFD9110PBF IRFD9110PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
68+1.07 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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IRFD9110PBF IRFD9110PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD89A472D662CFE0D2&compId=irfd9110.pdf?ci_sign=ab529ebcec8421c42f41682c045efec9537f1e9c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.49A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.49A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1371 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
56+1.29 EUR
68+1.07 EUR
143+0.5 EUR
152+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 56
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IRFD9110PBF IRFD9110PBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfd911.pdf MOSFETs HVMDIP 100V .7A P-CH MOSFET
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2+2.8 EUR
10+1.88 EUR
100+1.6 EUR
500+1.41 EUR
2500+1.2 EUR
25000+1.13 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFD9110PBF IRFD9110PBF Hersteller : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
auf Bestellung 180 Stücke:
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50+3.28 EUR
100+1.55 EUR
Mindestbestellmenge: 50
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IRFD9110PBF IRFD9110PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013329331-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFD9110PBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1.2 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 1102 Stücke:
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IRFD9110PBF IRFD9110PBF Hersteller : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9110 Hersteller : Harris Corporation HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 0.7A 100V 1.200 OHM P-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
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662+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 662
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IRFD9110 Hersteller : HARRIS HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf IRFD9110
auf Bestellung 8000 Stücke:
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Anzahl Preis
765+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 765
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IRFD9110 Hersteller : HARRIS HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf IRFD9110
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765+0.71 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 765
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IRFD9110 Hersteller : Siliconix HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf P-MOSFET 0.7A 100V 1.3W 1.2Ω IRFD9110 TIRFD9110
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRFD9110 IRFD9110 Hersteller : Vishay sihfd911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 0.7A 4-Pin HVMDIP
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IRFD9110 IRFD9110 Hersteller : Vishay Siliconix sihfd911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
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IRFD9110 IRFD9110 Hersteller : Vishay / Siliconix HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFD
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IRFD9110 IRFD9110 Hersteller : onsemi / Fairchild HRISSD79-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw sihfd911.pdf MOSFETs
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IRFD9110PBF IRFD9110PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfd911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 700MA 4DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 420mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
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IRFD110PBF
Produktcode: 98653
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IRFD110PBF
Hersteller: Siliconix
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: HVMDIP-4
Uds,V: 100
Idd,A: 01.07.2000
Rds(on), Ohm: 0.54
Ciss, pF/Qg, nC: 03.08.180
JHGF: THT
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