IRFH5025TRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 30+ | 5.05 EUR |
| 33+ | 4.17 EUR |
| 100+ | 3.34 EUR |
| 250+ | 3.09 EUR |
| 500+ | 2.50 EUR |
| 1000+ | 2.14 EUR |
| 3000+ | 2.06 EUR |
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Technische Details IRFH5025TRPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA, Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V.
Weitere Produktangebote IRFH5025TRPBF nach Preis ab 2.06 EUR bis 5.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFH5025TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R |
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IRFH5025TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V |
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IRFH5025TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 250V 1 N-CH HEXFET 5MM X 6MM PQFN |
auf Bestellung 3987 Stücke: Lieferzeit 178-182 Tag (e) |
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IRFH5025TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 3.6 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: HEXFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.084 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 11421 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH5025TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH5025TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 25 A, 0.084 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 3.6 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRFH5025TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFH5025TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFH5025TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH5025TRPBF SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFH5025TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 250V 3.8A 8-Pin PQFN T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFH5025TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 3.8A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 50 V |
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