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IRFH5053TRPBF

IRFH5053TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh5053-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
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Technische Details IRFH5053TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 46A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh5053-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
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IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2 Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
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IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF INFINEON IRSDS11430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 5286 Stücke:
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500+1.74 EUR
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IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH5053_DataSheet_v01_01_EN-3363323.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC
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1+4.36 EUR
10+3.25 EUR
100+2.34 EUR
500+1.87 EUR
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IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF INFINEON IRSDS11430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFH5053TRPBF IRFH5053TRPBF Infineon Technologies irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2 Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
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4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
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4000+1.26 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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4000+1.43 EUR
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Trans MOSFET N-CH 100V 9.3A 8-Pin PQFN T/R
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IRFH5053TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
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IRFH5053TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 18mOhms 24nC
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AnzahlPrivatkunde
1+4.36 EUR
10+3.25 EUR
100+2.34 EUR
500+1.87 EUR
1000+1.65 EUR
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IRFH5053TRPBF IRSDS11430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH5053TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH5053TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 46 A, 0.0144 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 46A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0144ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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71+3.3 EUR
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1000+1.61 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IRFH5053TRPBF irfh5053pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561ad6851ea2
IRFH5053TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 9.3A/46A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 50 V
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4+5.37 EUR
10+3.46 EUR
100+2.38 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.77 EUR
2000+1.64 EUR
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