IRFH7004TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFH7004TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFH7004TRPBF nach Preis ab 0.8 EUR bis 2.6 EUR
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 40V 100A 1.4mOhm HEXFET 156W 134nC |
auf Bestellung 4273 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 1089 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7004TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 259A 8-Pin PQFN EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRFH7004TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRFH7004TRPBF SMD N channel transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFH7004TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6419 pF @ 25 V |
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