IRFH7085TRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details IRFH7085TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFH7085TRPBF nach Preis ab 0.98 EUR bis 4.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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IRFH7085TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH7085TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V |
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IRFH7085TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH7085TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet |
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IRFH7085TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4783 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFH7085TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0026 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFH7085TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFH7085TRPBF | Hersteller : Infineon |
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IRFH7085TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
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IRFH7085TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R |
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