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IRFH7085TRPBF

IRFH7085TRPBF INFINEON

irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4009 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details IRFH7085TRPBF INFINEON

Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH7085_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
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10+1.83 EUR
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6 Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 445 Stücke:
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10+2.48 EUR
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies irfs23n15dpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF INFINEON INFN-S-A0010884990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
auf Bestellung 1795 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
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IRFH7085TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRFH7085TRPBF irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6
Hersteller: Infineon
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