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IRFH7085TRPBF

IRFH7085TRPBF Infineon Technologies

infineon-irfh7085-datasheet-v02_03-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details IRFH7085TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh7085-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6 Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
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4000+1.63 EUR
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh7085-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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284+2.33 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.87 EUR
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh7085-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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284+2.33 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.87 EUR
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Mindestbestellmenge: 284 Stücke
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh7085-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 1004 Stücke:
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284+2.33 EUR
500+2.07 EUR
1000+1.87 EUR
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF INFINEON irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6 Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4009 Stücke:
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100+2.44 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.86 EUR
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh7085-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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47+3.75 EUR
70+2.5 EUR
100+2.26 EUR
200+1.81 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.26 EUR
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH7085_DataSheet_v02_03_EN.pdf MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
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1+4.82 EUR
10+2.98 EUR
100+2.14 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.61 EUR
4000+1.46 EUR
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF Infineon Technologies irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6 Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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5+4.9 EUR
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IRFH7085TRPBF IRFH7085TRPBF INFINEON INFN-S-A0010884990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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44+5.8 EUR
69+3.37 EUR
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1000+1.9 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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4000+1.2 EUR
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IRFH7085TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 6083 Stücke:
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284+2.33 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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284+2.33 EUR
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10000+1.63 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
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IRFH7085TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4009 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
100+2.44 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.86 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 23A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
47+3.75 EUR
70+2.5 EUR
100+2.26 EUR
200+1.81 EUR
500+1.68 EUR
1000+1.42 EUR
2000+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 47 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBF Infineon_IRFH7085_DataSheet_v02_03_EN.pdf
IRFH7085TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 60V StrongIRFET Power Mosfet
auf Bestellung 2115 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.82 EUR
10+2.98 EUR
100+2.14 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.61 EUR
4000+1.46 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBF irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6
IRFH7085TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6460 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 4783 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.9 EUR
10+2.98 EUR
100+2.37 EUR
500+1.92 EUR
1000+1.73 EUR
2000+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBF INFN-S-A0010884990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH7085TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH7085TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3200 µohm, QFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: QFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4009 Stücke:
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44+5.8 EUR
69+3.37 EUR
100+2.33 EUR
500+1.96 EUR
1000+1.9 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH7085TRPBF irfh7085pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561eb50c1ed6
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH