IRFH7446TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFH7446TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, QFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 85A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 78W, Bauform - Transistor: QFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRFH7446TRPBF nach Preis ab 0.67 EUR bis 1.69 EUR
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 40V 85A 3.3mOhm 65nC StrongIRFET |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 85A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3174 pF @ 25 V |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH7446TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 85 A, 0.0033 ohm, QFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 85A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: QFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 117A 8-Pin QFN EP T/R |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6 Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 65nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 40V Drain current: 117A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFH7446TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 117A; 78W; PQFN5X6 Power dissipation: 78W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Gate charge: 65nC Technology: HEXFET® Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Trade name: StrongIRFET Mounting: SMD Case: PQFN5X6 Drain-source voltage: 40V Drain current: 117A On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
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