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IRFH8318TRPBF Transistor

Produktcode: 196964
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfs40107ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
508+0.35 EUR
570+0.31 EUR
648+0.26 EUR
751+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 508 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfs40107ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
418+0.42 EUR
459+0.37 EUR
508+0.32 EUR
570+0.27 EUR
648+0.24 EUR
751+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3790 Stücke:
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316+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfs40107ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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4000+0.56 EUR
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfs40107ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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4000+0.56 EUR
8000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
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4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16 Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH8318_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.43 EUR
10+1.26 EUR
100+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.64 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF Infineon Technologies irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16 Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
auf Bestellung 14699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.43 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 3100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
87+2.9 EUR
167+1.39 EUR
234+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
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IRFH8318TRPBF IRFH8318TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 3100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.9 EUR
167+1.39 EUR
234+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFH8318TRPBF Infineon irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16
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IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
508+0.35 EUR
570+0.31 EUR
648+0.26 EUR
751+0.23 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 508 Stücke
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IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 2473 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
418+0.42 EUR
459+0.37 EUR
508+0.32 EUR
570+0.27 EUR
648+0.24 EUR
751+0.19 EUR
1000+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 418 Stücke
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IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 3790 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
316+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 316 Stücke
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IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.56 EUR
8000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.56 EUR
8000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRFH8318TRPBF infineon-irfh8318-datasheet-v01_01-en.pdf
IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBF Infineon_IRFH8318_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
auf Bestellung 4240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.43 EUR
10+1.26 EUR
100+0.9 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.68 EUR
2000+0.64 EUR
4000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBF irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16
IRFH8318TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
auf Bestellung 14699 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.43 EUR
14+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.71 EUR
2000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBF INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8318TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 3100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
87+2.9 EUR
167+1.39 EUR
234+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 87 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBF INFN-S-A0012813463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH8318TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 3100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 59W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
auf Bestellung 3975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.9 EUR
167+1.39 EUR
234+0.92 EUR
500+0.76 EUR
1000+0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFH8318TRPBF irfh8318pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fa4111f16
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 428000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH