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IRFHM8326TRPBF

IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies

irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V
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Technische Details IRFHM8326TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 25A PQFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2496 pF @ 10 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFHM8326TRPBF IRFHM8326TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irfhm8326pbf-1228322.pdf MOSFET 30V Fet 25A 4.7mOhm 20nC PQFN3 BTRY
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IRFHM8326TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfhm8326pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562346891f4b IRFHM8326TRPBF SMD N channel transistors
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 37W (Tc)
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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