IRFI4020H-117PXKMA1 Infineon Technologies
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Technische Details IRFI4020H-117PXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI4020H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 200 V, 9.1 A, 9.1 A, 0.08 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 21W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 21W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFI4020H-117PXKMA1 nach Preis ab 2.31 EUR bis 6.18 EUR
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IRFI4020H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.1A 5-Pin(5+Tab) TO-220FB Tube |
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IRFI4020H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
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IRFI4020H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 200V 9.1A TO220-5 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 5.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak Part Status: Active |
auf Bestellung 950 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI4020H-117PXKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4020H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 200 V, 9.1 A, 9.1 A, 0.08 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 200V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.08ohm Verlustleistung, p-Kanal: 21W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 200V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.08ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 21W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1837 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFI4020H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
SP005547286 |
auf Bestellung 1350 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFI4020H-117PXKMA1 | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
2N-канальний ПТ; Udss, В = 200; Id = 9,1 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 1240 @ 25; Qg, нКл = 29 @ 10 В; Rds = 100 мОм @ 5,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4,9 В @ 100 мкА; Р, Вт = 21; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = Вивідний; TO-220FP-5 |
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IRFI4020H-117PXKMA1 Produktcode: 198473
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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