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IRFI4110GPBF

IRFI4110GPBF Infineon Technologies

infineonirfi4110gdsv0102en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IRFI4110GPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 72A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 61W, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Infineon Technologies infineonirfi4110gdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Infineon Technologies infineonirfi4110gdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Infineon Technologies infineonirfi4110gdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Infineon Technologies irfi4110gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535623f28d1f78 Description: MOSFET N-CH 100V 72A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9540 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
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IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Infineon Technologies infineonirfi4110gdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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36+4.16 EUR
45+3.18 EUR
100+2.77 EUR
500+2.6 EUR
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IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Infineon Technologies infineonirfi4110gdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF Infineon Technologies Infineon_IRFI4110G_DS_v01_02_EN-3363152.pdf MOSFETs MOSFT 9999A
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IRFI4110GPBF IRFI4110GPBF INFINEON INFN-S-A0003068085-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9540 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 290 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 43A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
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45+3.25 EUR
100+2.88 EUR
500+2.75 EUR
1000+2.68 EUR
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100+3.06 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4110GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 72 A, 4500 µohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 72A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 61W
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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