Technische Details IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 18W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 18W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRFI4212H-117PXKMA1 nach Preis ab 0.92 EUR bis 3.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 175 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5 Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 18W (Tc) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Packaging: Tube Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) |
auf Bestellung 517 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 609 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | Infineon Technologies |
MOSFETs IR FET >60-400V |
auf Bestellung 1200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IRFI4212H-117PXKMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm Verlustleistung, p-Kanal: 18W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 18W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 80+ | 1.85 EUR |
| 107+ | 1.32 EUR |
| 108+ | 1.26 EUR |
| 142+ | 0.92 EUR |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 18W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 18W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Packaging: Tube
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
auf Bestellung 517 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.27 EUR |
| 50+ | 1.42 EUR |
| 100+ | 1.41 EUR |
| 500+ | 1.37 EUR |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 3.22 EUR |
| 82+ | 1.78 EUR |
| 100+ | 1.59 EUR |
| 500+ | 1.11 EUR |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.43 EUR |
| 10+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.61 EUR |
| 500+ | 1.33 EUR |
| IRFI4212H-117PXKMA1 |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 23 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)