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IRFI4212H-117PXKMA1

IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 18W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 18W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies infineon_irfi4212h_117p_datasheet_en.pdf MOSFETs IR FET >60-400V
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IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON 516939.pdf Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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42+6 EUR
69+3.37 EUR
100+2.51 EUR
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IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies infineon-irfi4212h-117p-datasheet-en.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
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IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irfi4212h-117p-datasheet-en.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
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IRFI4212H-117PXKMA1 IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies irfs74377ppbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 175 Stücke:
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65+2.76 EUR
90+1.9 EUR
91+1.82 EUR
112+1.42 EUR
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IRFI4212H-117PXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
auf Bestellung 609 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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42+4.34 EUR
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72+2.45 EUR
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100+2.09 EUR
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100+2 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET >60-400V
auf Bestellung 1124 Stücke:
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10+3.01 EUR
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IRFI4212H-117PXKMA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.0725 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0725ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 18W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0725ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 18W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 595 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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69+3.37 EUR
100+2.51 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 42 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 18W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak
Part Status: Active
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AnzahlPrivatkunde
4+6.22 EUR
10+4.03 EUR
50+3.11 EUR
100+2.8 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
auf Bestellung 950 Stücke:
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IRFI4212H-117PXKMA1
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube
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