IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 134+ | 1.08 EUR |
| 150+ | 0.93 EUR |
| 151+ | 0.89 EUR |
| 250+ | 0.85 EUR |
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Technische Details IRFI4212H-117PXKMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.058 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.058ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 18W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 18W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFI4212H-117PXKMA1 nach Preis ab 0.78 EUR bis 2.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 11A TO220-5 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-5 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 18W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 6.6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-5 Full-Pak Part Status: Active |
auf Bestellung 654 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH >=100V |
auf Bestellung 1892 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4212H-117PXKMA1 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 11 A, 11 A, 0.058 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 11A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.058ohm Verlustleistung, p-Kanal: 18W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.058ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 18W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 86 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Digital Audio MOSFET |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 11A 5-Pin(5+Tab) TO-220FP Tube |
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| IRFI4212H-117PXKMA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.8A Power dissipation: 7W Case: TO220-5 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 58mΩ Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET Pulsed drain current: 44A |
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