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IRFI4227PBF

IRFI4227PBF Infineon Technologies

3642135766982278irfi4227pbf.pdffileid5546d462533600a40153562404ed1f7c.pdffileid55.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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Technische Details IRFI4227PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 46W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V.

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IRFI4227PBF IRFI4227PBF Hersteller : Infineon Technologies irfi4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562404ed1f7c Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
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Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
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IRFI4227PBF IRFI4227PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFI4227_DS_v01_02_EN-1227486.pdf MOSFETs MOSFT 200V 26A 22mOhm 73nC
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