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IRFI4227PBF

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Produktcode: 126426
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRFI4227PBF IRFI4227PBF Infineon Technologies irfi4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562404ed1f7c Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
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Description: MOSFET N-CH 200V 26A TO220AB FP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
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Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
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Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
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