IRFI4229PBF

IRFI4229PBF Infineon Technologies


Infineon_IRFI4229_DS_v01_02_EN-3166294.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC
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Technische Details IRFI4229PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 46W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 11A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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IRFI4229PBF IRFI4229PBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirfi4229dsv0102en.pdf IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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IRFI4229PBF IRFI4229PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irfi4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 19A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 19A
Power dissipation: 46W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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