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IRFI4229PBF

IRFI4229PBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
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Technische Details IRFI4229PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFI4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 19 A, 0.038 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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IRFI4229PBF IRFI4229PBF Infineon Technologies Infineon_IRFI4229_DS_v01_02_EN-3166294.pdf MOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC
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IRFI4229PBF IRFI4229PBF INFINEON 2354737.pdf Description: INFINEON - IRFI4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 19 A, 0.038 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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IRFI4229PBF IRFI4229PBF Infineon Technologies infineonirfi4229dsv0102en.pdf IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
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IRFI4229PBF IRFI4229PBF Infineon Technologies infineonirfi4229dsv0102en.pdf IRFI4229PBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube - Arrow.com
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IRFI4229PBF IRFI4229PBF Infineon Technologies irfi4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562416651f80 Description: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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IRFI4229PBF International Rectifier HiRel Products irfi4229pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562416651f80 Trans MOSFET N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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MOSFET MOSFT 250V 19A 46mOhm 73nC
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Description: INFINEON - IRFI4229PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 19 A, 0.038 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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100+3.37 EUR
500+3.17 EUR
1000+2.76 EUR
2000+2.64 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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27+6.75 EUR
45+3.87 EUR
100+3.5 EUR
500+3.34 EUR
1000+3 EUR
2000+2.94 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFI4229PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 19A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4480 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 250V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
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