IRFI4410ZPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFI4410ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFI4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0079 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 47W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFI4410ZPBF nach Preis ab 1.13 EUR bis 3.59 EUR
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Power dissipation: 47W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 30A Power dissipation: 47W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 81nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF Produktcode: 54322
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFI4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 0.0079 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube |
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IRFI4410ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 43A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V |
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