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IRFI4410ZPBF

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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies 3647604479656682irfi4410zpbf.pdffileid5546d462533600a4015356242aab1f86.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies 3647604479656682irfi4410zpbf.pdffileid5546d462533600a4015356242aab1f86.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies 3647604479656682irfi4410zpbf.pdffileid5546d462533600a4015356242aab1f86.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfi4410zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfi4410zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies 3647604479656682irfi4410zpbf.pdffileid5546d462533600a4015356242aab1f86.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies 3647604479656682irfi4410zpbf.pdffileid5546d462533600a4015356242aab1f86.pdffileid5.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfi4410zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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71+2.48 EUR
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfi4410zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfi4410zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies infineonirfi4410zdsv0102en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF Infineon Technologies Infineon_IRFI4410Z_DS_v01_02_EN-1732106.pdf MOSFETs MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON INFN-S-A0003068005-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFI4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 7900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
auf Bestellung 33 Stücke:
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IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFI4410ZPBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 960 Stücke:
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IRFI4410ZPBF 3647604479656682irfi4410zpbf.pdffileid5546d462533600a4015356242aab1f86.pdffileid5.pdf
IRFI4410ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 1312 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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IRFI4410ZPBF 3647604479656682irfi4410zpbf.pdffileid5546d462533600a4015356242aab1f86.pdffileid5.pdf
IRFI4410ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 1309 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
128+1.39 EUR
Mindestbestellmenge: 128 Stücke
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IRFI4410ZPBF 3647604479656682irfi4410zpbf.pdffileid5546d462533600a4015356242aab1f86.pdffileid5.pdf
IRFI4410ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 1781 Stücke:
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105+1.71 EUR
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IRFI4410ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 470 Stücke:
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IRFI4410ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF 3647604479656682irfi4410zpbf.pdffileid5546d462533600a4015356242aab1f86.pdffileid5.pdf
IRFI4410ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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IRFI4410ZPBF
Hersteller: Infineon Technologies
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
auf Bestellung 472 Stücke:
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44+4.09 EUR
71+2.48 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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Hersteller: Infineon Technologies
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Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Full-Pak Tube
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MOSFETs MOSFT 100V 65A 9.3mOhm 83nC
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IRFI4410ZPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRFI4410ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 43 A, 7900 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7900µohm
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 81nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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