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IRFI510GPBF

IRFI510GPBF VISHAY


sihfi510.pdf
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.5A; Idm: 18A; 27W; TO220FP
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 18A
Drain current: 4.5A
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 0.54Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
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Technische Details IRFI510GPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFI510GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRFI510GPBF IRFI510GPBF Vishay irfi510.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 930 Stücke:
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34+4.37 EUR
67+2.14 EUR
100+1.89 EUR
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Mindestbestellmenge: 34
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IRFI510GPBF IRFI510GPBF Vishay Siliconix sihfi510.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 364 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.4 EUR
50+2.18 EUR
100+1.96 EUR
Mindestbestellmenge: 4
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IRFI510GPBF IRFI510GPBF Vishay Semiconductors sihfi510.pdf MOSFETs TO220 100V 4.5A N-CH MOSFET
auf Bestellung 885 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.7 EUR
10+2.31 EUR
100+1.88 EUR
500+1.57 EUR
1000+1.53 EUR
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IRFI510GPBF IRFI510GPBF VISHAY VISH-S-A0013672197-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFI510GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller: Vishay Siliconix
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Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
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Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
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Description: VISHAY - IRFI510GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.54 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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