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IRFI630GPBF

IRFI630GPBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Technische Details IRFI630GPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay doc91148.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1000 Stücke:
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58+3.06 EUR
59+2.93 EUR
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500+2.26 EUR
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IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay doc91148.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
58+3.06 EUR
59+2.98 EUR
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IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY IRFI630G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 496 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
27+3.18 EUR
39+2.19 EUR
50+2.07 EUR
100+1.95 EUR
250+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 27 Stücke
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IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay doc91148.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 498 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.49 EUR
100+2.46 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay 91148.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
38+4.63 EUR
100+3.71 EUR
500+2.69 EUR
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IRFI630GPBF IRFI630GPBF VISHAY VISH-S-A0013608733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 320 Stücke:
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49+5.15 EUR
56+4.15 EUR
100+3.21 EUR
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IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay Semiconductors 91148.pdf MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1756 Stücke:
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1+6.7 EUR
10+3.01 EUR
100+2.56 EUR
500+2.4 EUR
2000+2.26 EUR
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IRFI630GPBF IRFI630GPBF Vishay Siliconix 91148.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.39 EUR
50+3.75 EUR
100+3.39 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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1000+1.88 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.7A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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250+1.81 EUR
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 5.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
38+4.63 EUR
100+3.71 EUR
500+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFI630GPBF VISH-S-A0013608733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI630GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.9 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 5.9
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 32
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
auf Bestellung 320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+5.15 EUR
56+4.15 EUR
100+3.21 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 5.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1756 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+3.01 EUR
100+2.56 EUR
500+2.4 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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3+7.39 EUR
50+3.75 EUR
100+3.39 EUR
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