IRFI640GPBF VISHAY
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 50+ | 5.05 EUR |
| 76+ | 3.08 EUR |
| 100+ | 2.78 EUR |
| 500+ | 2.74 EUR |
| 1000+ | 2.68 EUR |
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Technische Details IRFI640GPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFI640GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.8 A, 0.18 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 40W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFI640GPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFI640GPBF | Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,8 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
IRFI640GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube |
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 |
IRFI640GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET |
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IRFI640GPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 9.8A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 39A |
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 |
IRFI640GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRFI640GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFI640GPBF |
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Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,8 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 9,8 А, Ptot, Вт = 40, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10 В, Rds = 180 мОм @ 5,9 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220FP Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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| IRFI640GPBF |
|
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
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| IRFI640GPBF |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 200V 9.8A N-CH MOSFET
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| IRFI640GPBF |
|
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.8A; Idm: 39A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.8A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 39A
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| IRFI640GPBF |
|
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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| IRFI640GPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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