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IRFI644GPBF

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Produktcode: 101078
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFI644GPBF IRFI644GPBF Vishay 91151.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1188 Stücke:
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91+1.62 EUR
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93+1.53 EUR
100+1.48 EUR
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IRFI644GPBF IRFI644GPBF Vishay 91151.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 1190 Stücke:
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IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY IRFI644G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Power dissipation: 40W
auf Bestellung 18 Stücke:
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18+3.98 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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IRFI644GPBF IRFI644GPBF Vishay Semiconductors 91151.pdf MOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1518 Stücke:
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1+4.7 EUR
10+2.76 EUR
100+2.15 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.64 EUR
2000+1.57 EUR
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IRFI644GPBF IRFI644GPBF Vishay Siliconix 91151.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
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3+5.91 EUR
50+3.05 EUR
100+2.77 EUR
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IRFI644GPBF IRFI644GPBF VISHAY VISH-S-A0014899867-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 235 Stücke:
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IRFI644GPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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AnzahlPreis
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 250V 7.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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AnzahlPreis
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IRFI644GPBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 40W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 5A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
Power dissipation: 40W
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 250V 7.9A N-CH MOSFET
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 7.9A TO220-3
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
auf Bestellung 3981 Stücke:
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IRFI644GPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI644GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 7.9 A, 0.28 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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