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Technische Details IRFI9520GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFI9520GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.2 A, 0.6 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFI9520GPBF nach Preis ab 0.96 EUR bis 5.16 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRFI9520GPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 100V 5.2A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 1980 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 5.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI9520GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 5.2 A, 0.6 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 865 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 260 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFI9520GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -3.6A; 37W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -3.6A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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