IRFI9530GPBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 10+ | 1.9 EUR |
| 2000+ | 1.88 EUR |
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Technische Details IRFI9530GPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFI9530GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRFI9530GPBF nach Preis ab 0.99 EUR bis 3.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRFI9530GPBF | VISHAY |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -5.4A Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 38nC Power dissipation: 42W |
auf Bestellung 400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9530GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 100V 7.7A P-CH MOSFET |
auf Bestellung 1586 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFI9530GPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9530GPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRFI9530GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI9530GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.3 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 38W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1292 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFI9530GPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 42W
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.4A; 42W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -5.4A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 38nC
Power dissipation: 42W
auf Bestellung 400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 27+ | 2.75 EUR |
| 35+ | 2.04 EUR |
| 47+ | 1.53 EUR |
| 67+ | 1.07 EUR |
| 73+ | 0.99 EUR |
| IRFI9530GPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 100V 7.7A P-CH MOSFET
MOSFETs TO220 100V 7.7A P-CH MOSFET
auf Bestellung 1586 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.19 EUR |
| 10+ | 2.45 EUR |
| 100+ | 2.01 EUR |
| 500+ | 1.72 EUR |
| 1000+ | 1.61 EUR |
| 2000+ | 1.54 EUR |
| 5000+ | 1.49 EUR |
| IRFI9530GPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 41+ | 3.55 EUR |
| IRFI9530GPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET P-CH 100V 7.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRFI9530GPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFI9530GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRFI9530GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 7.7 A, 0.3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1292 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH




