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IRFI9640GPBF

IRFI9640GPBF Vishay

irfi9640g.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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Technische Details IRFI9640GPBF Vishay

Description: MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF Vishay irfi9640g.pdf description Trans MOSFET P-CH 200V 6.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
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IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF VISHAY IRFI9640G.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.9A; 40W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Power dissipation: 40W
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29+2.47 EUR
38+1.92 EUR
50+1.8 EUR
100+1.73 EUR
500+1.63 EUR
750+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF Vishay Semiconductors irfi9640g.pdf description MOSFETs TO220 200V 6.1A P-CH MOSFET
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IRFI9640GPBF IRFI9640GPBF Vishay Siliconix irfi9640g.pdf description Description: MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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50+3.51 EUR
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Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -3.9A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 44nC
Power dissipation: 40W
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Mounting Type: Through Hole
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
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Supplier Device Package: TO-220-3
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Vgs (Max): ±20V
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