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Technische Details IRFI9Z14GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFI9Z14GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 27W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRFI9Z14GPBF nach Preis ab 0.28 EUR bis 3.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||
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IRFI9Z14GPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
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IRFI9Z14GPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 P CHAN 60V |
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IRFI9Z14GPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 270 pF @ 25 V |
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IRFI9Z14GPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFI9Z14GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 567 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9Z14GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFI9Z14GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRFI9Z14GPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak |
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| IRFI9Z14GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; 27W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.3A Pulsed drain current: -21A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| IRFI9Z14GPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -5.3A; Idm: -21A; 27W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -5.3A Pulsed drain current: -21A Power dissipation: 27W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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