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IRFIBC40G Vishay

91182.pdf Hersteller: Vishay
N-MOSFET 600V 3.5A 40W IRFIBC40G Vishay TIRFIBC40g
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Technische Details IRFIBC40G Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFIBC40G IRFIBC40G
Produktcode: 83096
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Hersteller : IR datasheet_irfibc40ge3e3ref.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 600
Idd,A: 03.05.2015
Rds(on), Ohm: 01.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/60
JHGF: THT
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IRFIBC40G IRFIBC40G Hersteller : Vishay Siliconix 91182.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 3.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRFIBC40G IRFIBC40G Hersteller : Vishay / Siliconix 91182.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRFIBC40GPBF
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