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IRFIBE30G Vishay

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Hersteller: Vishay
N-MOSFET 800V 2.1A 35W IRFIBE30G Vishay TIRFIBE30g
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Technische Details IRFIBE30G Vishay

Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRFIBE30G IRFIBE30G
Produktcode: 37892
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Vishay 91184.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 02.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
JHGF: THT
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IRFIBE30G IRFIBE30G Vishay Siliconix 91184.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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IRFIBE30G
Produktcode: 37892
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IRFIBE30G
Hersteller: Vishay
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 800
Idd,A: 02.01.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
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IRFIBE30G
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFI
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