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IRFIBF20GPBF Vishay

Name: IRFIBF20GPBF
Brand: Vishay
SKU: 12931221-5
Price: 147.60 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Technische Details IRFIBF20GPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.

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IRFIBF20GPBF

Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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IRFIBF20GPBF

Hersteller : VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD90790CDDDB8143&compId=IRFIBF20G.pdf?ci_sign=581a7edfe976907183314c465ad1a5e64ef12c15

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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Hersteller : Vishay

Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP

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IRFIBF20GPBF

Hersteller : Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V

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IRFIBF20GPBF

Hersteller : Vishay Semiconductors

MOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET

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IRFIBF20GPBF

Hersteller : VISHAY

VISH-S-A0013608738-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25

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