IRFIZ24NPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRFIZ24NPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFIZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRFIZ24NPBF nach Preis ab 0.54 EUR bis 2.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 13A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 13A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 13A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 13.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 13A 70mOhm 13.3nC |
auf Bestellung 2583 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 14A TO220AB FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 29W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V |
auf Bestellung 276 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFIZ24NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 14 A, 0.07 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 35 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFIZ24NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
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