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IRFL014TRPBF

IRFL014TRPBF Vishay

sihfl014-datasheet.pdf
Produktcode: 162075
Hersteller: Vishay
Gehäuse: SOT-223
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
JHGF: SMD
auf Bestellung 187 Stück:
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2707 Stücke:
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247+0.59 EUR
259+0.55 EUR
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500+0.5 EUR
1000+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 247
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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2500+0.65 EUR
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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247+0.55 EUR
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1531 Stücke:
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Anzahl Preis
68+1.06 EUR
111+0.65 EUR
228+0.31 EUR
241+0.3 EUR
10000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 68
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Mounting: SMD
Case: SOT223
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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2500+1.06 EUR
Mindestbestellmenge: 2500
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihfl014.pdf MOSFETs N-Chan 60V 2.7 Amp
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10+1.2 EUR
100+0.87 EUR
500+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
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15+1.2 EUR
100+1.08 EUR
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0012362842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFL014TRPBF Hersteller : Vishay/IR sihfl014.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
auf Bestellung 3 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF
Produktcode: 196249
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Hersteller : IR sihfl014-datasheet.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
JHGF: SMD
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IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Hersteller : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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0,1 Ohm 5% 1W 2512 (Widerstand SMD)
Produktcode: 3427
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rl_20190531-hitano.pdf
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 2512
Resistenz: 0,1 Ohm
Präzision: ±5%
P Nenn.,W: 1W
U Betriebs.,V: 200V (500V max over load)
Größe Typ: 2512
verfügbar: 1747 Stück
396 Stück - stock Köln
1351 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 4000 Stück
4000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.056 EUR
100+0.048 EUR
1000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
0,12 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R12)
Produktcode: 3285
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SQP_080911.pdf
0,12 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R12)
Hersteller: Hitano
Widerstande THT > Widerstande THT - Zement-, 2 - 25W
Resistenz: 0,12 Ohm
Leistung: 5W
Präzision und TKW (Temperaturkoeffizient des Widerstandes): ±5%
U Betriebs.,V: 750V
Abmessungen, mm: 22,0x10,0x9,5; dAusfuhr.=0,8
Typ: Ausfuhrungs-, Zement-, Draht-
verfügbar: 213 Stück
97 Stück - stock Köln
116 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.1 EUR
10+0.09 EUR
100+0.08 EUR
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150uF 400V ELP 25x30mm (ELP151M2GBB-Hitano)
Produktcode: 2510
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ELP_080522.pdf
150uF 400V ELP 25x30mm (ELP151M2GBB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 150uF
Nennspannung: 400V
Reihe: ELP
Temp.Bereich: -25...+85°C
Abmessungen: 25x30mm
Lebensdauer: 25x30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 96 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+1.8 EUR
10+1.68 EUR
100+1.53 EUR
1000+1.4 EUR
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470pF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B471K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1917
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X7R_X5R.pdf
470pF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B471K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 470pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 2900 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.012 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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1nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B102K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1904
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X7R_X5R.pdf
1nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B102K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 1nF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 3532 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 4000 Stück:
4000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.012 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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