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IRFL024NPBF

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irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae
Produktcode: 88893
Hersteller: IR
Uds,V: 55 V
Idd,A: 2,8 A
Rds(on), Ohm: 0,075 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 400/18,3
JHGF: SMD
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Technische Details IRFL024NPBF IR

  • MOSFET, N, 55V, 4A, SOT-223
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:55V
  • Cont Current Id:4A
  • On State Resistance:0.075ohm
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Case Style:SOT-223
  • Termination Type:SMD
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:60`C/W
  • Max Voltage Vds:55V
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation:2.1W
  • Power Dissipation Pd:2.1W
  • Pulse Current Idm:11.2A
  • SMD Marking:FL024N
  • Transistor Case Style:SOT-223

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRFL024NPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 2,8 A; Ptot, Вт = 1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 400 @ 25; Qg, нКл = 18,3 @ 10 В; Rds = 75 мОм @ 2,8 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
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IRFL024NPBF IRFL024NPBF Hersteller : Infineon Technologies irfl024npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627cdd51fae Description: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
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IRFL024NPBF IRFL024NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRFL024N_DataSheet_v01_01_EN-1228435.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 7.5mOhms 63nC
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Nennspannung: 16V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 330 Stück
erwartet: 20000 Stück
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3,9 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
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Uout,V: 3.3
Iout,A: 0.8
Udrop, V: 1.1
Bemerkung: Fixed
Temperaturbereich: -40…150
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1N5408
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Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
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Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 11515 Stück
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