IRFL024ZPbF (Transistor)
Produktcode: 76176
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Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 5,1 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 57,5 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 340/9,1
Montage: SMD
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.55 EUR |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFL024ZPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
|
IRFL024ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
|
IRFL024ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 5.1mOhms 9.1nC |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFL024ZPBF |
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Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Транзистори
MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 Транзистори
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| IRFL024ZPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57.5mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
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| IRFL024ZPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 5.1mOhms 9.1nC
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 5.1mOhms 9.1nC
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| LM317AEMP/NOPB Produktcode: 34268
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: TI
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Eingangsspannung Uin, V: 40 В
Ausgangsspannung Uout, V: 1,2...37 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Ausgangstyp: Einstellbar
Montage: SMD
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: SOT-223
Eingangsspannung Uin, V: 40 В
Ausgangsspannung Uout, V: 1,2...37 В
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Ausgangstyp: Einstellbar
Montage: SMD
auf Bestellung 104 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| BDW94C (TO-220, ST) Produktcode: 1600
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Spannung Uce, V: 100 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 12 A
Stromverstärkung h21, max: 20000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung 211 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.64 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| 100+ | 0.43 EUR |
| 2SB882 Produktcode: 15197
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Lieblingsprodukt
|
![]() |
Hersteller: Sanyo
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 20 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 70 V
Strom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21, max: 5000
Bemerkung: Darlington
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-220
Grenzfrequenz fT, MHz: 20 MHz
Spannung Uce, V: 60 V
Spannung Ucb, V: 70 V
Strom Ic, A: 10 A
Stromverstärkung h21, max: 5000
Bemerkung: Darlington
auf Bestellung 32 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.54 EUR |
| 10+ | 0.43 EUR |
| PQ12RF21 Produktcode: 27265
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|
![]() |
Hersteller: Sharp
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220-4
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 0,5 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: -20...80°C
Montage: THT
IC > IC lineare Spannungsregler
Gehäuse: TO-220-4
Eingangsspannung Uin, V: 35 V
Ausgangsspannung Uout, V: 12 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Spannungsabfall Udrop, V: 0,5 V
Ausgangstyp: Fest
Temperaturbereich: -20...80°C
Montage: THT
auf Bestellung 97 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 2.67 EUR |
| 10+ | 2.26 EUR |
| BZX85-C15 Produktcode: 30868
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|
![]() |
Hersteller: NXP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 15 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 15 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 15 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -
auf Bestellung 646 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.048 EUR |
| 10+ | 0.036 EUR |
| 100+ | 0.032 EUR |
| 1000+ | 0.03 EUR |







