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IRFL110TRPBF

IRFL110TRPBF Vishay

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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details IRFL110TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay Semiconductors sihfl110.pdf MOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp
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2+2.49 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
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IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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100+2.52 EUR
150+1.55 EUR
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IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 7495 Stücke:
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100+2.52 EUR
150+1.55 EUR
174+1.24 EUR
500+1.05 EUR
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IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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64+2.78 EUR
120+1.46 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
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IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY IRFL110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
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IRFL110PBF Vishay/IR IRFL110_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 3,1,... Транзистори Корпус: SOT-223 О
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
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IRFL110TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
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IRFL110TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
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IRFL110TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL110TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2500+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRFL110TRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp
auf Bestellung 25831 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.49 EUR
10+1.54 EUR
100+1.01 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.65 EUR
5000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRFL110TRPBF VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 7495 Stücke:
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100+2.52 EUR
150+1.55 EUR
174+1.24 EUR
500+1.05 EUR
1000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRFL110TRPBF VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 7495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
150+1.55 EUR
174+1.24 EUR
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1000+0.92 EUR
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IRFL110TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 1053 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
64+2.78 EUR
120+1.46 EUR
500+1.12 EUR
Mindestbestellmenge: 64 Stücke
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IRFL110TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
auf Bestellung 21729 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.61 EUR
10+2.94 EUR
50+2.23 EUR
100+2 EUR
500+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRFL110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3553 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFL110PBF IRFL110_Vishay.pdf
Hersteller: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 3,1,... Транзистори Корпус: SOT-223 О
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 3 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH