Technische Details IRFL4310 IR
Transistoren > MOSFET N-CH, Gehäuse: SOT-223, Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V, Drain-Strom Idd, A: 1,6 A, Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm, Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/17, Montage: SMD.
Analogon IRFL4310 IR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRFL4310TRPBF Produktcode: 53875
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Lieblingsprodukt
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В Drain-Strom Idd, A: 1,6 А Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,20 Ом Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25 Montage: SMD |
auf Bestellung 26 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFL4310TRPBF Produktcode: 53875
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,20 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 1,6 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,20 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/25
Montage: SMD
auf Bestellung 26 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Weitere Produktangebote IRFL4310 nach Preis ab 0.5 EUR bis 0.68 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||
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IRFL4310 Produktcode: 30167
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Lieblingsprodukt
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IR |
 Transistoren > MOSFET N-CHGehäuse: SOT-223 Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V Drain-Strom Idd, A: 1,6 A Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/17 Montage: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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| IRFL4310 | International Rectifier |
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFL4310 Produktcode: 30167
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Lieblingsprodukt
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Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/17
Montage: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-223
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 1,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 330/17
Montage: SMD
Produkt ist nicht verfügbar
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 0.68 EUR |
| 10+ | 0.5 EUR |
| IRFL4310 |
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Hersteller: International Rectifier
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa Транзистори
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa Транзистори
Produkt ist nicht verfügbar
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