IRFL4310PBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 183+ | 0.95 EUR |
| 221+ | 0.76 EUR |
| 223+ | 0.73 EUR |
| 311+ | 0.5 EUR |
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Technische Details IRFL4310PBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V SOT223, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote IRFL4310PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFL4310PBF | International Rectifier/Infineon |
  N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,6 A, Ptot, Вт = 2,1, Тип монт. = smd, Rds = 200 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2...4, Pb-free,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
verfügbar 6 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFL4310PBF |
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,6 A, Ptot, Вт = 2,1, Тип монт. = smd, Rds = 200 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2...4, Pb-free,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,6 A, Ptot, Вт = 2,1, Тип монт. = smd, Rds = 200 мОм, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2...4, Pb-free,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
verfügbar 6 Stücke: