IRFL4315PbF(Transistor)
Produktcode: 76177
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-223-4
Uds,V: 150 V
Idd,A: 2,6 A
Rds(on), Ohm: 185 mOhm
JHGF: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFL4315PBF | International Rectifier |
 150V , 2.6A Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
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 |
IRFL4315PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V |
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 |
IRFL4315PBF | Infineon Technologies |
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 12nC |
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| IRFL4315PBF | |
|
Hersteller: International Rectifier
150V , 2.6A Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 packa Транзистори
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| IRFL4315PBF | |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 25 V
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| IRFL4315PBF | |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 12nC
MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 185mOhms 12nC
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