irfl9110trpbf
Produktcode: 22352
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Hersteller:
8542 39 90 00
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Technische Details irfl9110trpbf
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Drain Source Voltage, Vds:-100V
- Continuous Drain Current, Id:-1.1A
- On Resistance, Rds(on):1.2ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Package/Case:SOT-223
Weitere Produktangebote irfl9110trpbf nach Preis ab 0.42 EUR bis 5.28 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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IRFL9110TRPBF | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 5000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 230 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF | VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W Mounting: SMD Polarisation: unipolar Case: SOT223 Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -8.8A Drain current: -0.69A Gate charge: 8.7nC Power dissipation: 3.1W On-state resistance: 1.2Ω Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape |
auf Bestellung 4833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 2593 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp |
auf Bestellung 46640 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
auf Bestellung 15240 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 7487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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IRFL9110TRPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 2W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
auf Bestellung 7487 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRFL9110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.76 EUR |
| 5000+ | 0.67 EUR |
| IRFL9110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 5000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 0.76 EUR |
| 5000+ | 0.65 EUR |
| IRFL9110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 197+ | 0.89 EUR |
| 199+ | 0.87 EUR |
| 230+ | 0.74 EUR |
| IRFL9110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 166+ | 1.06 EUR |
| 197+ | 0.87 EUR |
| 199+ | 0.82 EUR |
| 230+ | 0.68 EUR |
| IRFL9110TRPBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Case: SOT223
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
Power dissipation: 3.1W
On-state resistance: 1.2Ω
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 4833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 58+ | 1.48 EUR |
| 78+ | 1.09 EUR |
| 105+ | 0.81 EUR |
| 119+ | 0.71 EUR |
| 250+ | 0.62 EUR |
| 500+ | 0.56 EUR |
| 1000+ | 0.49 EUR |
| 2500+ | 0.42 EUR |
| IRFL9110TRPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2500+ | 1.58 EUR |
| 5000+ | 1.49 EUR |
| 7500+ | 1.46 EUR |
| IRFL9110TRPBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2593 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 101+ | 1.75 EUR |
| 129+ | 1.34 EUR |
| 250+ | 1.18 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2500+ | 0.68 EUR |
| IRFL9110TRPBF |
|
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp
MOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp
auf Bestellung 46640 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.39 EUR |
| 10+ | 1.51 EUR |
| 100+ | 1.15 EUR |
| 500+ | 0.9 EUR |
| 1000+ | 0.77 EUR |
| 2500+ | 0.7 EUR |
| 5000+ | 0.62 EUR |
| IRFL9110TRPBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
auf Bestellung 15240 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.28 EUR |
| 10+ | 3.42 EUR |
| 100+ | 2.34 EUR |
| 500+ | 1.89 EUR |
| 1000+ | 1.78 EUR |
| IRFL9110TRPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 7487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRFL9110TRPBF |
|
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
auf Bestellung 7487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)