Technische Details irfl9110trpbf
- MOSFET
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:P Channel
- Drain Source Voltage, Vds:-100V
- Continuous Drain Current, Id:-1.1A
- On Resistance, Rds(on):1.2ohm
- Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
- Package/Case:SOT-223
Preis irfl9110trpbf ab 0.66 EUR bis 0.69 EUR
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IRFL9110TRPBF Hersteller: IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223 
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auf Bestellung 82 Stücke  Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF Hersteller: IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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auf Bestellung 780 Stücke Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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 Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 1.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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 Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL9110TRPBF Hersteller: VISHAY Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 1.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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IRFL9110TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFL9110TRPBF SMD P channel transistors
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IRFL9110TRPBF Hersteller: IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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IRFL9110TRPBF Hersteller: VISHAY Material: IRFL9110TRPBF SMD P channel transistors
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IRFL9110TRPBF Hersteller: IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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IRFL9110TRPBF Hersteller: IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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IRFL9110TRPBF Hersteller: IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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 Hersteller: Vishay Semiconductors MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp
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auf Bestellung 88528 Stücke  Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRFL9110TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL9110TRPBF Hersteller: Vishay Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V
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 Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V Vgs (Max): ±20V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Technology: MOSFET (Metal Oxide) Part Status: Active FET Type: P-Channel Base Part Number: IRFL9110 Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Supplier Device Package: SOT-223 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 15278 Stücke Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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Hersteller: Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-223 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) FET Type: P-Channel
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| SN74LVC1G14DBVR Produktcode: 38298 |
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120 Stück - stock Köln468 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 312561 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
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| MC33063ADR2G Produktcode: 41532 |
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Hersteller: ON
IC - IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: Inverting Switching Regulators
Spannung, eing., V: 3...40V
I-ausg., A: 1,5A
Fosc, kHz: 150
Temperaturbereich: -40…+85°C
100 Stück - stock KölnIC - IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: Inverting Switching Regulators
Spannung, eing., V: 3...40V
I-ausg., A: 1,5A
Fosc, kHz: 150
Temperaturbereich: -40…+85°C
320 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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| Möglichen Substitutionen |
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MC33063ADR Produktcode: 36210 |
| Möglichen Substitutionen |
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MC33063AD Produktcode: 892 |
| Möglichen Substitutionen |
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MC33063ADG Produktcode: 34986 |
| 6,8 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD) Produktcode: 3701 |
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Hersteller: Hitano
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 6,8 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
1200 Stück - stock KölnWiderstande SMD - SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 6,8 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
672 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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