irfl9110trpbf - IC - IC andere

irfl9110trpbf

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Produktcode: 22352
Hersteller:
IC - IC andere

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Technische Details irfl9110trpbf

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:-100V
  • Continuous Drain Current, Id:-1.1A
  • On Resistance, Rds(on):1.2ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Package/Case:SOT-223

Preis irfl9110trpbf ab 0.66 EUR bis 0.69 EUR

IRFL9110TRPBF
Hersteller:
IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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auf Bestellung 82 Stücke
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IRFL9110TRPBF
Hersteller:
IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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auf Bestellung 780 Stücke
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IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
VISH-S-A0012362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
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IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL9110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 1.1
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.2
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
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IRFL9110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFL9110TRPBF SMD P channel transistors
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IRFL9110TRPBF
Hersteller:
IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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IRFL9110TRPBF
Hersteller: VISHAY
Material: IRFL9110TRPBF SMD P channel transistors
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IRFL9110TRPBF
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IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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IRFL9110TRPBF
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IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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IRFL9110TRPBF
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IRFL9110 P-KANAL POWER MOSFET -100V,-1.1A, RDS=1.2M SOT223
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IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF
Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFET P-Chan 100V 1.1 Amp
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IRFL9110TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL9110TRPBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
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IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200pF @ 25V
Vgs (Max): ±20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Part Status: Active
FET Type: P-Channel
Base Part Number: IRFL9110
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Supplier Device Package: SOT-223
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Digi-Reel® (Zusätzliche Zahlung für die Spule beträgt 7 $)
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auf Bestellung 15278 Stücke
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IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
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MC78M05ACDTG
Produktcode: 37352
mc78m00-d.pdf MC78M00-D.PDF
MC78M05ACDTG
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SN74LVC1G14DBVR
Produktcode: 38298
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74lvc1g14 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Fsn74lvc1g14
SN74LVC1G14DBVR 120 Stück - stock Köln
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auf Bestellung 312561 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 5 EUR
10+ 3.5 EUR
100+ 2.8 EUR
MC33063ADR2G
Produktcode: 41532
техническая информация 6d8cb6521c49038bbd9c4bf4a776d87e.pdf
MC33063ADR2G
Hersteller: ON
IC - IC Netzteile
Gehäuse: SO-8
Eigenschaften: Inverting Switching Regulators
Spannung, eing., V: 3...40V
I-ausg., A: 1,5A
Fosc, kHz: 150
Temperaturbereich: -40…+85°C
100 Stück - stock Köln
320 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
auf Bestellung 137336 Stück - Preis und Lieferfrist anzeigen
1+ 0.38 EUR
10+ 0.3 EUR
100+ 0.24 EUR
Möglichen Substitutionen
MC33063ADR
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Möglichen Substitutionen
MC33063AD
Produktcode: 892
Möglichen Substitutionen
MC33063ADG
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6,8 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (Widerstand/Resistor SMD)
Produktcode: 3701
RC_series.pdf
6,8 kOhm 5% 0,125W 150V 0805  (Widerstand/Resistor SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD - SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 6,8 kOhm
Präzision: ±5% J
P Nenn.,W: 0,125W
U Betriebs.,V: 150V
Größe Typ: 0805
1200 Stück - stock Köln
672 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
10+ 0.0038 EUR
100+ 0.0024 EUR
1000+ 0.0017 EUR