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IRFML8244TR

IRFML8244TR UMW

bfd095c7d42c4e10561f80749ef62098.pdf Hersteller: UMW
Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
auf Bestellung 2978 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details IRFML8244TR UMW

Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRFML8244TR Hersteller : Infineon bfd095c7d42c4e10561f80749ef62098.pdf N-channel HEXFET Power MOSFET 24mOhm, 25V, 5.8A, 1.25W IRFML8244 TIRFML8244
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IRFML8244TR Hersteller : Infineon bfd095c7d42c4e10561f80749ef62098.pdf N-channel HEXFET Power MOSFET 24mOhm, 25V, 5.8A, 1.25W IRFML8244 TIRFML8244
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IRFML8244TR Hersteller : UMW bfd095c7d42c4e10561f80749ef62098.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 25V; 20V; 41mOhm; 5,8A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFML8244TR; SP001566992; IRFML8244TR UMW TIRFML8244 UMW
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IRFML8244TR IRFML8244TR Hersteller : UMW bfd095c7d42c4e10561f80749ef62098.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 10µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
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