IRFP044NPBF
Produktcode: 103462
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247AC
Uds,V: 55 V
Idd,A: 53 A
Rds(on), Ohm: 0,020 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1500/61
JHGF: THT
ZCODE: 8541290010
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Technische Details IRFP044NPBF IR
- MOSFET, N, TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Max Voltage Vds:55V
- On State Resistance:0.02ohm
- Power Dissipation:100W
- Transistor Case Style:TO-247AC
- No. of Pins:3
- Case Style:TO-247AC
- Cont Current Id:49A
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:5.45mm
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation Pd:100W
- Pulse Current Idm:180A
- Termination Type:Through Hole
- Transistor Polarity:N
- Typ Voltage Vds:55V
- Typ Voltage Vgs th:4V
- Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Weitere Produktangebote IRFP044NPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFP044NPBF | Infineon |
 N-Channel 55 V 53A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247AC Транзистори |
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 |
IRFP044NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 29A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
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 |
IRFP044NPBF | Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC |
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| IRFP044NPBF |
|
Hersteller: Infineon
N-Channel 55 V 53A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247AC Транзистори
N-Channel 55 V 53A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247AC Транзистори
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| IRFP044NPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 55V 53A TO247AC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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| IRFP044NPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC
MOSFET MOSFT 55V 49A 20mOhm 40.7nCAC
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