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IRFP064N

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Produktcode: 23063
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-247
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Idd, A: 110 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,08 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 4000/170
Montage: THT
verfügbar: 6 St.
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRFP064N JSMicro Semiconductor IRFP064NJSMICRO Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP064; IRFP064N; SP001554926; TIRFP064n JSM
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IRFP064N International Rectifier IRFP064N Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; TIRFP064n
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IRFP064N International Rectifier IRFP064N Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; TIRFP064n
auf Bestellung 75 Stücke:
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25+4.41 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRFP064N
Hersteller: JSMicro Semiconductor
IRFP064NJSMICRO Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFP064; IRFP064N; SP001554926; TIRFP064n JSM
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IRFP064N
Hersteller: International Rectifier
IRFP064N Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; TIRFP064n
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IRFP064N
Hersteller: International Rectifier
IRFP064N Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP064N; IRFP064N; TIRFP064n
auf Bestellung 75 Stücke:
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